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MJE253中文资料

MJE253图片

MJE253外观图

  • 大小:102.79KB
  • 厂家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述:isc Silicon PNP Power Transistor
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
  • 最大直流电集电极电流:4 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:40
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:40 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-225-3
  • 封装:Bulk
  • 集电极连续电流:4 A
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:15 W
  • 工厂包装数量:500

MJE253供应商

更新时间:2023-01-03 08:34:36
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